
產(chan)品分(fen)類
PRODUCT CLASSIFICATION相(xiang)關(guan)文(wen)章(zhang)
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您的(de)位(wei)置:首頁(ye) - 產(chan)品中(zhong)心 - - 實驗(yan)室(shi)核(he)輻(fu)射儀(yi)器 - T360A自(zi)動(dong)熱釋(shi)光(guang)讀數(shu)器(qi) 便攜式輻(fu)射檢(jian)測(ce)儀(yi)

產(chan)品型(xing)號(hao):T360A
更(geng)新(xin)時(shi)間(jian):2025-10-12自(zi)動(dong)熱釋(shi)光(guang)讀數(shu)器(qi) 便攜式輻(fu)射檢(jian)測(ce)儀(yi)T360A
功能特點(dian):
-可擴(kuo)展光(guang)釋(shi)光(guang)測(ce)量(liang)功能;
-手(shou)自(zi)壹體(ti),手(shou)動(dong)、自(zi)動(dong)可自(zi)由(you)切(qie)換;
-10.4’觸(chu)摸屏(ping),單(dan)機工(gong)作(zuo)和(he)計算(suan)機(ji)聯(lian)機工(gong)作(zuo);
-具(ju)有(you)噪聲(sheng)抑制(zhi)能力,自(zi)動(dong)本底(di)扣(kou)除(chu)功(gong)能;
-可加中(zhong)密度濾光(guang)片擴(kuo)展量(liang)程(2級(ji));
-接觸(chu)式電極(ji)加熱,會(hui)線(xian)性升溫;
-集成式光(guang)子計數(shu)器(qi)技術;
-K型熱電偶接觸(chu)測(ce)溫,測(ce)溫準確;
-讀(du)數(shu)器(qi)操(cao)作(zuo)頁面(mian)中(zhong)英文顯(xian)示(shi);
-讀(du)數(shu)器(qi)可儲(chu)存1000條(tiao)測(ce)量(liang)數(shu)據;
-ABS機箱,堅固(gu)耐用(yong);
-RS232連(lian)接電腦(nao),電腦(nao)集成有(you)數(shu)據庫(ku)。
自(zi)動(dong)熱釋(shi)光(guang)讀數(shu)器(qi) 便攜式輻(fu)射檢(jian)測(ce)儀(yi)尺寸重量(liang):
-外形尺寸(cun):470×340×500(mm);
-包裝(zhuang)尺(chi)寸:620×460×550(mm);
-單(dan)機重(zhong)量(liang):36kg;
-包裝(zhuang)重(zhong)量(liang):45kg(木箱包裝(zhuang)帶(dai)拉手(shou))。
環境(jing)條(tiao)件(jian)參(can)數(shu):
-電源(yuan)供應(ying):交(jiao)流(liu)110~250V,50/60z功率(lv)小於300瓦(wa)特(te);
-運(yun)行(xing)溫度:10℃~50℃;
-儲(chu)存溫度:-10℃~60℃;
-室內濕(shi)度:75%-95%;
-抗光(guang)能力:機(ji)箱抗(kang)1000lux環境(jing)光(guang)照射(she);
-氣(qi)源(yuan)供(gong)應(ying):普(pu)通壓(ya)縮空(kong)氣(qi)或(huo)者(zhe)氮(dan)氣(qi),出(chu)口(kou)壓(ya)力(li)不低於0.3MPa。
技術參數(shu)(技術指(zhi)標(biao)僅供(gong)選購(gou)參考(kao),以(yi)實(shi)際購(gou)買(mai)產(chan)品型(xing)號(hao)為(wei)準。)
-進(jin)樣方(fang)式:機械進(jin)樣;
-退樣方(fang)式:氣(qi)動(dong)退樣;
-探(tan)測(ce)模塊:1路(lu)集成光(guang)子計數(shu)器(qi)探(tan)測(ce);
-波(bo)長範圍:300~650nm,峰值波(bo)長420nm;
-光(guang)電轉(zhuan)換:九(jiu)級(ji)放(fang)大,高達(da)20M/秒(miao);
-測(ce)讀能力:單(dan)次(ci)裝(zhuang)樣200片連(lian)續(xu)測(ce)讀;
-加熱溫度:20-300℃,高:600℃;
-預熱溫度:50-135℃(默認(ren)為(wei)135℃);
-釋(shi)放(fang)溫度:200℃~600℃;
-升溫速(su)率(lv):10℃/s~50℃/s;
-制(zhi)冷(leng)方(fang)式:半導體(ti)+液(ye)體(ti)制(zhi)冷(leng);
-暗(an)電流(liu):相對(dui)標(biao)準偏差小於等於1%;
-參考(kao)光(guang):相對(dui)標(biao)準偏差小於等於1%;
-探(tan)測(ce)下限(xian):0.01μSv;
-線性(xing)化:小於等於1%;
-穩定(ding)性(xing):連(lian)續(xu)10次(ci)測(ce)量(liang),SD≤10μSv;
-控制(zhi)精(jing)度:±1℃;
-測(ce)量(liang)量(liang)程:10μSv~100Sv(衰(shuai)減(jian)後) 10uGy-10Gy(衰(shuai)減(jian)後);
-測(ce)讀速(su)度:標(biao)準TTP,40秒(miao)測(ce)讀壹個樣品。
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